238단 512Gb TLC 7월 개발 완료…내년 상반기 양산
최고층, 최소면적 제품 구현…생산성·속도·전력소모 개선

SK하이닉스 NAND개발담당 최정달 부사장이 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2022’ 행사의 기조연설에서 발표를 진행했다. (SK하이닉스 제공) 
SK하이닉스 NAND개발담당 최정달 부사장이 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋(FMS) 2022’ 행사의 기조연설에서 발표를 진행했다. (SK하이닉스 제공) 

[스페셜경제=선호균 기자] SK하이닉스가 현존 최고층 238단 낸드 개발에 성공했다고 3일 발표했다. 

SK하이닉스에 따르면 최근 238단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 샘플을 고객에게 출시했다. 내년 상반기 양산에 들어간다는 계획이다. 

SK하이닉스는 “2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다”며 “특히 이번 238단 낸드는 최고층이면서도 세계에서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는 데 의미를 둔다”고 밝혔다. 

낸드플래시는 한 개의 셀에 비트 단위로 몇 개의 정보를 저장하느냐에 따라 SLC(1개), MLC(2개), TLC(3개), QLC(4개), PLC(5개) 등으로 규격이 나뉜다. 정보저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 

SK하이닉스는 이날 미국 산타클라라에서 개막한 ‘플래시 메모리 서밋 2022’에서 신제품을 공개했다. 행사 기조연설에 나선 SK하이닉스 NAND개발담당 최정달 부사장은 “당사는 4D 낸드 기술력을 바탕으로 개발한 238단을 통해 원가, 성능, 품질 측면에서 글로벌 톱클래스 경쟁력을 확보했다”며 “앞으로도 기술 한계를 돌파하기 위해 혁신을 거듭해 나갈 것”이라고 강조했다. 

SK하이닉스 238단 4D 낸드 개발 기술 CTF와 PUC (SK하이닉스 제공) 
SK하이닉스 238단 4D 낸드 개발 기술 CTF와 PUC (SK하이닉스 제공) 

플래시 메모리 서밋(FMS)은 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드플래시 업계의 세계 최대 규모 컨퍼런스다. 올해는 행사 기조연설에서 SK하이닉스와 낸드 솔루션 자회사 솔리다임이 함께 공동 발표를 진행했다. 

지난 2018년 개발한 낸드 96단부터 기존 3D를 넘어선 4D 제품을 선보여왔던 SK하이닉스는 4차원 구조로 칩이 구현되는 4D를 만들기 위해 이 회사 기술진은 CTF(Charge Trap Flash)와 PUC(Peri Under Cell) 기술을 적용했다. 4D는 3D 대비 단위당 셀 면적이 줄어들면서 생산효율은 높아지는 장점을 가졌다. 

이번 238단은 단수가 높아진 것은 물론, 세계 최소 사이즈로 만들어져 이전 세대인 176단 대비 생산성이 34% 높아졌다. 이전보다 단위 면적당 용량이 커진 칩이 웨이퍼당 더 많은 개수로 생산되기 때문이다. 

SK하이닉스의 238단 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb다. 이전 세대 대비 50% 빨라졌다. 칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량도 21% 줄어들었다. SK하이닉스는 전력소모 절감을 통해 ESG 측면에서 성과를 냈다고 평가했다.  

향후 SK하이닉스는 PC 저장장치인 cSSD(client SSD)에 들어가는 238단 제품을 먼저 공급하고 이후 스마트폰용과 서버용 고용량 SSD 등으로 제품 활용 범위를 넓혀간다는 계획이다. 이어 내년에는 현재의 512Gb보다 용량을 2배 높인 1Tb 제품도 선보일 예정이다. 

SK하이닉스가 개발한 238단 4D 낸드 (SK하이닉스 제공) 
SK하이닉스가 개발한 238단 4D 낸드 (SK하이닉스 제공) 

 

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