[스페셜경제=변윤재 기자] 삼성전자가 25일 업계 최초로 하이케이 메탈 게이트(HKMG) 공정을 적용한 512GB DDR5 메모리 모듈을 선보였다. 최고 수준의 용량과 데이터 전송 속도를 구현한 이 제품은 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능(AI) 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 전망이다. 

DDR5는 차세대 D램 규격으로, 기존의 DDR4 대비 2배 이상의 성능을 갖췄다. 삼성전자의 DDR5 신제품은 데이터 전송속도가 7200Mbps에 달한다. 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있는 속도다. 반면 전력 소모는 13% 적다. 저전압에서도 고성능을 구현할 수 있다.

업계 최고 수준의 고용량·고성능·저전력을 구현할 수 있었던 이유는 HKMG 공정을 적용했기 때문이다. 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 메모리반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 줄였다. 주로 시스템반도체에 적용됐는데, 삼성전자는 이를 메모리에도 적용시켜 성능을 대폭 끌어올렸다. 

또 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 실리콘 관통 전극(TSV) 기술이 적용해 용량을 높였다. 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 대응하기 위해서다. 16Gb 기반으로 8단 TSV 기술을 적용했다. 앞서 ㅇ삼성전자는 2014년 세계 최초로 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정을 적용해 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다. 

손영수 메모리사업부 상품기획팀 상무는 “삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다”며 “이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다”고 밝혔다.

삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이다.