[스페셜경제=조경희 기자]26일 SK하이닉스가 실리콘관통전극(TSV) 기술을 적용한 초고속 메모리(HBM) 개발에 성공했다고 밝혔다.

20나노급 D램을 TSV 방식으로 4단 적층한 제품으로 국제반도체표준협의기구(JEDEC)에서 표준화를 추진하는 고성능·저전력·고용량 제품이다. 1.2V 전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있고, 1024개 정보출입구(I/O)로 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 초당 28GB의 데이터를 처리할 수 있는 GDDR5보다 4배 이상 빠르고, 전력소비는 40% 줄였다.

SK하이닉스는 기술 검증을 위해 초기 단계부터 AMD와 손잡고 공동 개발을 진행했다. TSV 초고속 메모리로 고성능 그래픽, 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 시장 등을 공략할 계획이다.

내년 상반기 중 여러 고객사와 샘플 테스트를 진행하고, 하반기에 양산한다는 목표를 세웠으며 하나의 패키지에 시스템온칩(SoC)과 TSV HBM을 시스템으로 구현한 시스템인칩(SiP) 형태로 세트업체에 공급한다.

홍성주 SK하이닉스 DRAM개발본부장(전무)은 “새해 TSV 기술을 활용한 HBM 제품을 상용화해 제품 포트폴리오를 강화하고, 메모리 반도체 시장에서 주도권을 공고히 할 것”이라고 말했다