▲ 사진제공=뉴시스

[스페셜경제=전다희 기자]세계 최초로 삼성전자가 ‘10나노급 D램’을 양산한다.


5일 삼성전자는 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 밝혔다. 삼성전자는 지난 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 바 있다.


당초 삼성전자는 올해 중순께 10나노급 D램 양산을 할 수 있을 것으로 예상됐으나 시기를 훨씬 앞당겼다.


1나노는 10억 분의 1m로 반도체 회로간 간격을 의미하며, 숫자가 낮을수록 생산성이 높아진다. 하지만 높은 기술력을 요구한다.


삼성전자는 이번 10나노 제품에 ‘초고집적 설계 기술’과 ‘사중 포토 노광 기술(Quadruple Patterning Technique)’, ‘초균일 유전막 형성 기술’ 등 자체 개발한 3가지 기술을 적용했다.


독자 개발한 ‘초고집적 설계 기술’을 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 올렸다. 또한 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3200Mbps를 구현할 수 있다.


삼성전자는 업계 최초로 낸드플래시 양산에 적용한 ‘사중 포토 노광 기술(QPT·Quadruple Patterning Technique)’을 D램에 구현했다.


이는 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한 번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술을 일컫는다. 셀(정보 저장의 최소 단위)은 트랜지스터와 캐패시터의 적층 구조로 구성된다.


10나노급 D램은 커패시터의 유전막을 옹스트롬(10분의 1나노) 단위의 초박형 원자 물질로 균일하게 형성해 더욱 빠른 속도에도 안정적으로 작동하는 셀 특성을 확보했다.


올해 삼성전자는 성능과 용량을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램을 양산해 초고해상도 스마트폰 시장 역시 지속 선점한다는 전략을 밝혔다.


삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 “0나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것이다”라며 “향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 이바지해 나갈 것”이라고 설명했다.


삼성전자가 10나노대 D램을 양산하게 되면서 세계 D램 시장 3위의 미국 마이크론과의 기술 격차를 2년 이상 따돌렸다는 것이 전문가들의 분석이다.


D램 시장 2위에 위치한 SK하이닉스는 현재 18나노 D램을 개발 중에 있고 이에 성공한다면 내년 양산에 돌입할 계획이다.


한편 시장조사기관 D램 익스체인지에 따르면 삼성전자는 이 같은 기술 격차를 통해 지난해 D램 시장 점유율이 사상 최고치인 45.3%를 기록했다.


또한 삼성전자는 공정 전환에 따른 원가 절감으로 높은 이익률을 기록할 전망이다.


저작권자 © 스페셜경제 무단전재 및 재배포 금지